近年來，在國(guó)家相關(guān)政策支持下，應(yīng)用于新能源領(lǐng)域的功率模塊迎來了增長(zhǎng)新契機(jī)。而SiC碳化硅模塊以其卓越性能，成為新能源核心賽道的“佼佼者”。碳化硅模塊的性能提升對(duì)于新能源熱管理優(yōu)化至關(guān)重要，而廣東愛晟電子科技有限公司研發(fā)、量產(chǎn)的打線門極電阻，在碳化硅模塊性能升級(jí)過程中的作用不可或缺。

相較于傳統(tǒng)的功率模塊，SiC碳化硅模塊憑借其寬禁帶在高頻率、高電流、高溫、高壓等工作環(huán)境中展現(xiàn)出高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、低功率損耗、高開關(guān)頻率等優(yōu)越性能。由于新能源對(duì)于功率模塊有著更高的性能要求，打線門極電阻能夠幫助碳化硅模塊提高工作效率，迎合行業(yè)需求。其主要優(yōu)勢(shì)在于：

一、低電阻溫度系數(shù)（TCR，Temperature Coefficient Of Electric Resistance）：這意味著在溫度波動(dòng)環(huán)境下，打線門極電阻的電阻值受溫度影響小，這對(duì)于需要穩(wěn)定運(yùn)行的碳化硅模塊尤為重要；

二、高精度：打線門極電阻的精度可達(dá)1%，有助于提升碳化硅模塊運(yùn)行時(shí)的精確度；

三、高穩(wěn)定：打線門極電阻在高溫環(huán)境下的老化漂移率低，保證了碳化硅模塊長(zhǎng)期工作的高可靠。

具體地，打線門極電阻在碳化硅模塊中通過邦定工藝與SiC芯片進(jìn)行電連接，有效消除導(dǎo)通時(shí)源極電感對(duì)柵極電壓的影響，碳化硅模塊不會(huì)因此降低開關(guān)導(dǎo)通速度，從而可減少導(dǎo)通損耗。且門極電阻尺寸小，在模塊設(shè)計(jì)布局中能夠提高空間利用率，使功率密度更高。打線門極電阻憑借其出色的產(chǎn)品特性，為碳化硅模塊的設(shè)計(jì)和性能優(yōu)化提供了有力的支持。